国产免费婷婷视频在线,精品无码av无码专区,手机看片久久国产永久免费,国产一色屋最新精品视频

Trench MOS

Trench MOS這種新型垂直結構器件在VDMOS的基礎上發(fā)展起來,和VDMOS相比,Trench MOS擁行更低的導通屯阻和柵漏電荷密度,因而擁行更低的導通和開義損耗及更快的開義速度。 同時由于Trench MOS的溝逍是垂直的, 故可進一步提高具溝逍密度, 減小芯片尺寸, 降低導通電阻。 )并且具有MOS器件的一切優(yōu)點, 如: 開關速度快、 驅動功率小等。并聯的元胞具有負的溫度系數,有利于大電流和更寬的安全工作區(qū)的實現。

樣本下載

產品列表